Samsung e ASML planejam avanço em EUV High-NA para DRAM e 1,4 nm
A Samsung Electronics afirmou que trabalhará com a ASML em litografia EUV High-NA, visando à produção de DRAM a partir de 2028 e, posteriormente, estendendo a tecnologia à fabricação de lógica de 1,4 nanômetro.