Samsung et ASML préparent le déploiement de l’EUV High-NA pour la DRAM et le 1,4 nm
Samsung Electronics a annoncé qu’il collaborerait avec ASML sur la lithographie EUV High-NA, avec pour objectif une production de DRAM à partir de 2028, avant d’étendre ultérieurement cette technologie à la fabrication de circuits logiques en 1,4 nanomètre.